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技术参数:
测量范围 0~199.9μg/LSiO2
基本误差≤±2.5%FS
重复性误差≤±0.5%FS
短期漂移(30分钟) : ≤±0.5%FS
长期漂移(24小时) : ≤±2.5%FS
*学方法 :硅钼兰光度法