(三)半导体探测器
半导体探测器具有分辨率*、脉冲上升时间短、γ射线探测仪半导体探测器结构简单等优点。半导体探测器按结构可以分为PN结型、PIN结型;按工艺可以分为面垒型、扩散型、离子注入型、锂漂移型;按材料可分为锗、硅和*合物型;按外形可分平面型、同轴型。
从原理上讲,半导体探测器可以看作是*个电压反接的PN结。PN结的结区就是半导体探测器的灵敏区。当带电粒子或电磁辐射与探测器物质相互作用,产生的次*电子进入灵敏区时,γ射线探测仪半导体探测器在其内形成电子和空穴对。在*的反向电场作用下,电子、空穴分别向正、负**动,并被电*收集,而得到*个电脉冲。
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