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波长扫描式 自动变角度光谱椭偏仪 ESS01

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订货号:83480
分类编号:2157
品牌:量拓
型号: ESS01
询价热线: 021-50758086 50308503
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-----------以下"波长扫描式 自动变角度光谱椭偏仪 ESS01"相关信息来自网络,仅供参考不作购买下单依据------------

    性能特点如下:ESS01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的波长扫描式、**度自动变入射角度光谱椭偏仪,此系列仪器波长范围覆盖紫外、可见、近红外到远红外。
    ESS01**宽光谱光源结合单色仪的方式实现*光谱分辨的椭偏测量。
    ESS01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数(如,厚层厚度、表面为粗糙度等)和光学参数(如,折射率n、消光系数k、复介电常数ε等),也可用于测量块状材料的光学参数。
    ESS01适合多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。

    *宽的光谱范围:
    **宽光谱光源、宽光谱扫描的系统光学设计,保证了仪器在*宽的光谱范围下都具有*准确度,非常适合于对光谱范围要求*其严格的场合。
    灵活的测量设置:
    仪器的多个关键参数可根据要求而设定(包括:波长范围、扫描步距、入射角度等),*大地提*了测量的灵活性,可以胜任要求苛刻的样品。
    原子层量*的检测灵敏度:
    *际**的采样方法、*稳定的核心器件、*质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量*地纳米薄膜,膜厚*度达到0.05nm。
    非常经济的技术方案:
    **较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现*光谱分辨的椭偏测量,仪器整体成本得到有*降低。

    *应用*域:ESS01系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。
    ESS01适合很大范围的材料种类,包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测,光谱范围覆盖半导体地临界点,这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围(从次纳米量*到10微米左右)。
    ESS01可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用*域包括:微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、*学、电*学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。
    薄膜相关应用涉及物理、*学、信息、环保等,典型应用包括:
    半导体:如:介电薄膜、金属薄膜、*分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二*管GaN和AlGaN、透明的电子器件等);
    平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等;
    功能性涂料:增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层,以及*分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等;
    生物和*学工程:有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜**、表面改性处理、液体等。
    节能环保*域:LOW-E玻璃等。
    ESS01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用*域包括:固体(金属、半导体、介质等),或液体(纯净物或混合物)。典型应用包括:
    玻璃新品研发和质量控制等。

    技术参数:光谱范围 ESS01VI:370-1700nm
    ESS01UI:245-1700nm
    光谱分辨率(nm) 可设置
    入射角度 40°-90°自动**
    准确度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° 
    (透射模式测空气时)
    膜厚测量重复性(1) 0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)
    折射率n测量重复性(1) 0.001(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)
    单次测量时间 典型0.6s / Wavelength / Point(取决于测量模式)
    光学结构 PSCA(Δ在0°或180°附近时也具有**的准确度)
    可测量样品*大尺寸 直径Φ200 mm
    样品方位调整 *度**范围:10mm
    二维俯仰**:±4°
    样品对准 光学自准直显微和望远对准系统
    软件:
    多语言界面切换
    预设项目供快捷操作使用
    **的权限管理模式(管理员、操作员)
    方便的材料数据库以及多种色散模型库
    丰富的模型数据库
    选配件 自动扫描样品台
    聚焦透镜
    注:(1)测量重复性:是指对标准样品上同*点、同*条件下连续测量30次所计算的标准差。


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